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IXFB170N30P
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
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? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF: F_170N30P(9S) 06-24-08
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IXFB30N120P 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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